提供4英寸定制化的InP/GaAsSb HBT外延片：

（1）II型能带排列，电子输运不存在势垒；

（2）GaAsSb base掺杂可达1´10²⁰cm^-3；

（3）高增益电阻比（β/R_bs） 0.05~0.1；

（4）集电极电流和基极电流理想因子均接近1；

（5）器件电学性能均匀性好于3%。