提供各类Hall传感器外延片:
(1)GaAs on GaAs: 掺杂浓度1E16~1E17 cm-3,迁移率 5000~6000 cm2/V×s;
(2)InAs on GaAs: 掺杂浓度1E16~1E17 cm-3,迁移率 9000~12000 cm2/V×s;
(3)InSb on GaAs: 掺杂浓度2E16~3E16 cm-3,迁移率 >30000 cm2/V×s。
(1) GaAs on GaAs: 掺杂浓度1E16~1E17 cm-3,迁移率 5000~6000 cm2/V×s;
(2) InAs on GaAs: 掺杂浓度1E16~1E17 cm-3,迁移率 9000~12000 cm2/V×s;
(3) InSb on GaAs: 掺杂浓度2E16~3E16 cm-3,迁移率 >30000 cm2/V×s。