Xtalsong Semiconductor Co. Ltd.
简体中文 English
苏州晶歌半导体有限公司
 
公司简介 >> 外延片 >> pHEMT外延片
pHEMT外延片

pHEMT外延片

提供6英寸GaAs pHEMT外延片：

（1）二维电子气浓度：2E12~1E13 cm-2;

（2）迁移率：6000~8500 cm2/V×s；

（3）方阻均匀性好于2%，厚度均匀性好于1%；

（4）界面电荷低，漏电流小。

 

提供4英寸InP pHEMT外延片：

（1）二维电子气浓度：1E12~3E12 cm-2;

（2）迁移率：10000~13000 cm2/V×s；

（3）方阻均匀性好于2%。



0.00
0.00
  

提供6英寸GaAs pHEMT外延片：

（1）二维电子气浓度：2E12~1E13 cm-2;

（2）迁移率：6000~8500 cm2/V×s；

（3）方阻均匀性好于2%，厚度均匀性好于1%；

（4）界面电荷低，漏电流小。

 

提供4英寸InP pHEMT外延片：

（1）二维电子气浓度：1E12~3E12 cm-2;

（2）迁移率：10000~13000 cm2/V×s；

（3）方阻均匀性好于2%。



提供6英寸GaAs pHEMT外延片：

（1）二维电子气浓度：2E12~1E13 cm-2;

（2）迁移率：6000~8500 cm2/V×s；

（3）方阻均匀性好于2%，厚度均匀性好于1%；

（4）界面电荷低，漏电流小。

 

提供4英寸InP pHEMT外延片：

（1）二维电子气浓度：1E12~3E12 cm-2;

（2）迁移率：10000~13000 cm2/V×s；

（3）方阻均匀性好于2%。