提供4英寸InGaAs/InP SWIR PD外延片:
(1)InGaAs本底浓度 <5´1014cm-3,迁移率 >9000cm2/V×s;
(2)InGaAs波长均匀性 <2nm,厚度均匀性好于1%;
(3)极好的run-to-run、pocket-to-pocket均匀性。